Sistem PECVD

Kenapa pilih kami?

Kualiti Produk Boleh Dipercayai
Syarikat Xinkyo diasaskan pada tahun 2005 oleh penyelidik bahan profesional. Pengasasnya belajar di Universiti Peking dan merupakan pengeluar terkemuka peralatan eksperimen suhu tinggi dan peralatan makmal penyelidikan bahan baharu. Ini membolehkan kami menyediakan peralatan suhu tinggi yang berkualiti tinggi dan kos rendah untuk makmal penyelidikan dan pembangunan bahan.

Peralatan Lanjutan
Peralatan pengeluaran utama: Mesin penebuk CNC, mesin lentur CNC, mesin ukiran CNC, mesin pelarik CNC ketuhar suhu tinggi, mesin berbaring, pengilangan gantri, pusat pemesinan, kepingan logam, mesin pemotong laser, mesin penebuk CNC, mesin lentur, mesin kimpalan kapasitif sendiri , mesin kimpalan argon argon, kimpalan laser, mesin sandblasting, bilik pembakar cat automatik.

Pelbagai Aplikasi
Produk ini digunakan terutamanya dalam seramik, metalurgi serbuk, percetakan 3D, penyelidikan dan pembangunan bahan baharu, bahan kristal, rawatan haba logam, kaca, bahan elektrod negatif untuk bateri litium tenaga baharu, bahan magnet, dsb.

Pasaran Luas
Hasil jualan eksport tahunan XinKyo Furnace adalah lebih daripada 50 juta, dengan pasaran Amerika Utara (seperti Amerika Syarikat, Kanada, Mexico, dll.) menyumbang 30% dan pasaran Eropah (seperti Perancis, Sepanyol, Jerman, dll) menyumbang kira-kira 20%; 15% di Asia Tenggara (Jepun, Korea, Thailand, Malaysia, Singapura, India, dll) dan 10% dalam pasaran Rusia; 10% di Timur Tengah (Arab Saudi, UAE, dll ), 5% di pasaran Australia, dan baki 10%.

Apakah Sistem PECVD?

Sistem Pemendapan Wap Kimia Dipertingkat Plasma (PECVD) biasanya digunakan dalam industri semikonduktor untuk proses pemendapan filem nipis. Teknologi PECVD melibatkan pemendapan bahan pepejal pada substrat dengan memperkenalkan gas prekursor yang meruap ke dalam persekitaran plasma. Sistem PECVD memberikan beberapa kelebihan, termasuk pemprosesan suhu rendah, keseragaman filem yang sangat baik, kadar pemendapan yang tinggi dan keserasian dengan pelbagai bahan. Sistem ini digunakan secara meluas dalam pelbagai aplikasi seperti mikroelektronik, fotovoltaik, optik, dan MEMS (sistem mikro-elektromekanikal).

Sistem PECVD Tiga Zon Pemanasan 1200C
SK2-CVD-12TPB4 ialah relau tiub untuk sistem PECVD, yang terdiri daripada bekalan kuasa RF 300W atau 500W, sistem aliran ketepatan berbilang saluran, sistem vakum dan relau tiub. Suhu yang biasa...
Lebih

Kelebihan Sistem PECVD

Suhu pemendapan yang lebih rendah

Sistem PECVD boleh dijalankan pada suhu yang lebih rendah antara suhu bilik hingga 350 darjah, berbanding suhu CVD standard 600 darjah hingga 800 darjah. Julat suhu yang lebih rendah ini membolehkan aplikasi yang berjaya di mana suhu CVD yang lebih tinggi berpotensi merosakkan peranti atau substrat yang disalut.

Keakuran yang baik dan liputan langkah

Sistem PECVD menyediakan pematuhan yang baik dan liputan langkah pada permukaan yang tidak rata. Ini bermakna filem nipis boleh didepositkan secara sama rata dan seragam pada permukaan yang kompleks dan tidak teratur, memastikan salutan berkualiti tinggi walaupun dalam geometri yang mencabar.

Kurangkan tekanan antara lapisan filem nipis

Dengan beroperasi pada suhu yang lebih rendah, sistem PECVD mengurangkan tegasan antara lapisan filem nipis yang mungkin mempunyai pengembangan haba atau pekali penguncupan yang berbeza. Ini membantu mengekalkan prestasi elektrik berkecekapan tinggi dan ikatan antara lapisan.

Kawalan yang lebih ketat terhadap proses filem nipis

PECVD membenarkan kawalan tepat parameter tindak balas, seperti kadar aliran gas, kuasa plasma dan tekanan. Ini membolehkan penalaan halus proses pemendapan, menghasilkan filem berkualiti tinggi dengan sifat yang diingini.

Kadar pemendapan yang tinggi

Sistem PECVD boleh mencapai kadar pemendapan yang tinggi, membolehkan salutan substrat yang cekap dan pantas. Ini amat bermanfaat untuk aplikasi perindustrian di mana kadar pengeluaran yang cepat diperlukan.

Tenaga yang lebih bersih untuk pengaktifan

Proses sistem PECVD menggunakan plasma untuk mencipta tenaga yang diperlukan untuk pemendapan lapisan permukaan, menghapuskan keperluan untuk tenaga haba. Ini bukan sahaja mengurangkan penggunaan tenaga tetapi juga menghasilkan penggunaan tenaga yang lebih bersih.

Aplikasi Sistem PECVD

Sistem PECVD berbeza daripada CVD konvensional (pemendapan wap kimia) kerana ia menggunakan plasma untuk mendepositkan lapisan pada permukaan pada suhu yang lebih rendah. Proses CVD bergantung pada permukaan panas untuk memantulkan bahan kimia pada atau sekitar substrat, manakala PECVD menggunakan plasma untuk meresap lapisan ke permukaan.
Terdapat beberapa faedah menggunakan salutan PECVD. Salah satu kelebihan utama ialah keupayaan untuk mendepositkan lapisan pada suhu yang lebih rendah, yang mengurangkan tekanan pada bahan yang disalut. Ini membolehkan kawalan yang lebih baik ke atas proses lapisan nipis dan kadar pemendapan. Salutan PECVD juga menawarkan keseragaman filem yang sangat baik, pemprosesan suhu rendah dan daya pemprosesan yang tinggi.
Sistem PECVD digunakan secara meluas dalam industri semikonduktor untuk pelbagai aplikasi. Ia digunakan dalam pemendapan filem nipis untuk peranti mikroelektronik, sel fotovoltaik, dan panel paparan. Salutan PECVD amat penting dalam industri mikroelektronik, yang merangkumi bidang seperti automotif, ketenteraan dan pembuatan perindustrian. Industri-industri ini menggunakan sebatian dielektrik, seperti silikon dioksida dan silikon nitrida, untuk mewujudkan penghalang perlindungan terhadap kakisan dan kelembapan.
Peralatan PECVD adalah serupa dengan yang digunakan untuk proses PVD (pemendapan wap fizikal), dengan ruang, pam vakum dan sistem pengedaran gas. Sistem hibrid yang boleh melaksanakan kedua-dua proses PVD dan PECVD menawarkan yang terbaik dari kedua-dua dunia. Salutan PECVD cenderung untuk menyalut semua permukaan dalam ruang, tidak seperti PVD, yang merupakan proses garis pandang. Penggunaan dan penyelenggaraan peralatan PECVD akan berbeza-beza bergantung pada kadar penggunaan setiap proses.

Bagaimanakah Sistem PECVD Mencipta Salutan?

PECVD ialah variasi pemendapan wap kimia (CVD) yang menggunakan plasma dan bukannya haba untuk mengaktifkan gas atau wap sumber. Memandangkan suhu tinggi boleh dielakkan, julat substrat yang mungkin mengembang kepada bahan takat lebur rendah – malah plastik dalam beberapa kes. Selain itu, pelbagai bahan salutan yang boleh didepositkan juga berkembang.
Plasma dalam proses pemendapan wap biasanya dihasilkan dengan menggunakan voltan pada elektrod yang tertanam dalam gas pada tekanan rendah. Sistem PECVD boleh menjana plasma dengan cara yang berbeza, contohnya, frekuensi radio (RF) kepada frekuensi pertengahan (MF) kepada kuasa DC berdenyut atau lurus. Mana-mana julat frekuensi yang digunakan, objektifnya tetap sama: tenaga yang dibekalkan oleh sumber kuasa mengaktifkan gas atau wap, membentuk elektron, ion, dan radikal neutral.
Spesies bertenaga ini kemudiannya prima untuk bertindak balas dan terpeluwap pada permukaan substrat. Sebagai contoh, DLC (karbon seperti berlian), salutan prestasi yang popular, dicipta apabila gas hidrokarbon seperti metana diasingkan dalam plasma, dan karbon dan hidrogen bergabung semula pada permukaan substrat, membentuk kemasan. Selain daripada nukleasi awal salutan, kadar pertumbuhannya agak malar, jadi ketebalannya adalah berkadar dengan masa pemendapan.

Apakah Prinsip Kerja Sistem PECVD?

Penjanaan Plasma

Sistem PECVD menggunakan bekalan kuasa RF frekuensi tinggi untuk menjana plasma tekanan rendah. Bekalan kuasa ini menghasilkan nyahcas cahaya dalam gas proses, yang mengionkan molekul gas dan mencipta plasma. Plasma terdiri daripada spesies gas terion (ion), elektron, dan beberapa spesies neutral dalam kedua-dua keadaan tanah dan teruja.

Pemendapan Filem

Filem pepejal dimendapkan pada permukaan substrat. Substrat boleh dibuat daripada pelbagai bahan, termasuk silikon (Si), silikon dioksida (SiO2), aluminium oksida (Al2O3), nikel (Ni), dan keluli tahan karat. Ketebalan filem boleh dikawal dengan melaraskan parameter pemendapan seperti kadar aliran gas prekursor, kuasa plasma, dan masa pemendapan.

Pengaktifan Gas Prekursor

Gas prekursor, yang mengandungi unsur yang dikehendaki untuk pemendapan filem, dimasukkan ke dalam ruang PECVD. Plasma di dalam ruang mengaktifkan gas prekursor ini dengan menyebabkan perlanggaran tidak anjal antara elektron dan molekul gas. Perlanggaran ini mengakibatkan pembentukan spesies reaktif, seperti neutral teruja dan radikal bebas, serta ion dan elektron.

Tindak Balas Kimia

Gas prekursor yang diaktifkan menjalani satu siri tindak balas kimia dalam plasma. Tindak balas ini melibatkan spesies reaktif yang terbentuk dalam langkah sebelumnya. Spesies reaktif bertindak balas antara satu sama lain dan dengan permukaan substrat untuk membentuk filem pepejal. Pemendapan filem berlaku disebabkan oleh gabungan tindak balas kimia dan proses fizikal seperti penjerapan dan penyahjerapan.

Adakah Sistem PECVD Beroperasi Pada Vakum Tinggi Atau Tekanan Atmosfera?

Sistem PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) biasanya beroperasi pada tekanan rendah, biasanya dalam julat 0.1-10 Torr, dan pada suhu yang agak rendah, biasanya dalam julat 200-500 ijazah . Ini bermakna PECVD beroperasi pada vakum tinggi, kerana ia memerlukan sistem vakum yang mahal untuk mengekalkan tekanan rendah ini.
Tekanan rendah dalam PECVD membantu mengurangkan serakan dan menggalakkan keseragaman dalam proses pemendapan. Ia juga meminimumkan kerosakan pada substrat dan membolehkan pemendapan pelbagai bahan.
Sistem PECVD terdiri daripada ruang vakum, sistem penghantaran gas, penjana plasma, dan pemegang substrat. Sistem penghantaran gas memperkenalkan gas prekursor ke dalam ruang vakum, di mana ia diaktifkan oleh plasma untuk membentuk filem nipis pada substrat.
Penjana plasma dalam sistem PECVD biasanya menggunakan bekalan kuasa RF frekuensi tinggi untuk mencipta nyahcas cahaya dalam gas proses. Plasma kemudian mengaktifkan gas prekursor, menggalakkan tindak balas kimia yang membawa kepada pembentukan filem nipis pada substrat.
PECVD beroperasi pada vakum tinggi, biasanya dalam julat 0.1-10 Torr, untuk memastikan keseragaman dan meminimumkan kerosakan pada substrat semasa proses pemendapan.

Apakah Suhu Di Mana Sistem PECVD Dijalankan?

Suhu di mana PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) dijalankan berbeza dari suhu bilik hingga 350 darjah . Julat suhu yang lebih rendah ini berfaedah berbanding proses CVD (Pemendapan Wap Kimia) standard, yang biasanya dijalankan pada suhu antara 600 darjah hingga 800 darjah .
Suhu pemendapan PECVD yang lebih rendah membolehkan aplikasi yang berjaya dalam situasi di mana suhu CVD yang lebih tinggi berpotensi merosakkan peranti atau substrat yang disalut. Dengan beroperasi pada suhu yang lebih rendah, ia menghasilkan kurang tekanan antara lapisan filem nipis yang mempunyai pekali pengembangan/penguncupan haba yang berbeza, menghasilkan prestasi elektrik kecekapan tinggi dan ikatan kepada standard yang tinggi.
PECVD digunakan dalam nanofabrikasi untuk pemendapan filem nipis. Suhu pemendapannya berkisar antara 200 hingga 400 darjah . Ia dipilih berbanding proses lain seperti LPCVD (Pemendapan Wap Kimia Tekanan Rendah) atau pengoksidaan terma silikon apabila pemprosesan suhu yang lebih rendah diperlukan disebabkan kebimbangan kitaran haba atau pengehadan bahan. Filem PECVD cenderung mempunyai kadar goresan yang lebih tinggi, kandungan hidrogen yang lebih tinggi dan lubang jarum, terutamanya untuk filem yang lebih nipis. Walau bagaimanapun, PECVD boleh memberikan kadar pemendapan yang lebih tinggi berbanding LPCVD.
Kelebihan PECVD berbanding CVD konvensional termasuk suhu pemendapan yang lebih rendah, pematuhan yang baik dan liputan langkah pada permukaan yang tidak rata, kawalan yang lebih ketat terhadap proses filem nipis, dan kadar pemendapan yang tinggi. Sistem PECVD menggunakan plasma untuk membekalkan tenaga untuk tindak balas pemendapan, membolehkan pemprosesan suhu yang lebih rendah berbanding kaedah terma semata-mata seperti LPCVD.
Julat suhu PECVD membolehkan lebih fleksibiliti dalam proses pemendapan, membolehkan aplikasi yang berjaya dalam pelbagai situasi di mana suhu yang lebih tinggi mungkin tidak sesuai.

Apakah Bahan Yang Didepositkan Dalam PECVD?

PECVD adalah singkatan kepada Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition. Ia adalah teknik pemendapan suhu rendah yang digunakan dalam industri semikonduktor untuk mendepositkan filem nipis pada substrat. Bahan-bahan yang boleh didepositkan menggunakan PECVD termasuk silikon oksida, silikon dioksida, silikon nitrida, silikon karbida, karbon seperti berlian, poli-silikon, dan silikon amorf.
PECVD berlaku dalam reaktor CVD dengan penambahan plasma, yang merupakan gas terion separa dengan kandungan elektron bebas yang tinggi. Plasma dihasilkan dengan menggunakan tenaga RF kepada gas dalam reaktor. Tenaga daripada elektron bebas dalam plasma memisahkan gas reaktif, membawa kepada tindak balas kimia yang memendapkan filem pada permukaan substrat.
PECVD boleh dilakukan pada suhu rendah, biasanya antara 100 darjah dan 400 darjah, kerana tenaga daripada elektron bebas dalam plasma mengasingkan gas reaktif. Kaedah pemendapan suhu rendah ini sesuai untuk peranti sensitif suhu.
Filem yang didepositkan oleh PECVD mempunyai pelbagai aplikasi dalam industri semikonduktor. Ia digunakan sebagai lapisan pengasingan antara lapisan konduktif, untuk pempasifan permukaan, dan pengkapsulan peranti. Filem PECVD juga boleh digunakan sebagai enkapsulan, lapisan pempasifan, topeng keras dan penebat dalam pelbagai jenis peranti. Selain itu, filem PECVD digunakan dalam salutan optik, penalaan penapis RF, dan sebagai lapisan pengorbanan dalam peranti MEMS.
PECVD menawarkan kelebihan untuk menyampaikan filem stoikiometrik yang sangat seragam dengan tekanan rendah. Sifat filem, seperti stoikiometri, indeks biasan, dan tegasan, boleh ditala dalam julat yang luas bergantung pada aplikasi. Dengan menambahkan gas reaktan lain, julat sifat filem boleh diperluaskan, membenarkan pemendapan filem seperti silikon dioksida berfluorinasi (SiOF) dan silikon oksikarbida (SiOC).
PECVD ialah proses kritikal dalam industri semikonduktor untuk mendepositkan filem nipis dengan kawalan tepat ke atas ketebalan, komposisi kimia dan sifat. Ia digunakan secara meluas untuk pemendapan silikon dioksida dan bahan lain dalam peranti sensitif suhu.

Apakah Perbezaan Antara PECVD Dan CVD?

PECVD (Pemendapan wap kimia dipertingkatkan plasma) dan CVD (Pemendapan wap kimia) ialah dua teknik berbeza yang digunakan untuk mendepositkan filem nipis pada substrat. Perbezaan utama antara PECVD dan CVD terletak pada proses pemendapan dan suhu yang digunakan.
CVD ialah proses yang bergantung pada permukaan panas untuk memantulkan bahan kimia pada atau sekitar substrat. Ia menggunakan suhu yang lebih tinggi berbanding PECVD. CVD melibatkan tindak balas kimia gas prekursor pada permukaan substrat, yang membawa kepada pemendapan filem nipis. Pemendapan salutan CVD berlaku dalam keadaan gas yang mengalir, yang merupakan jenis pemendapan pelbagai arah meresap. Ia melibatkan tindak balas kimia antara gas prekursor dan permukaan substrat.
Sebaliknya, PECVD menggunakan plasma sejuk untuk mendepositkan lapisan pada permukaan. Ia menggunakan suhu pemendapan yang sangat rendah berbanding CVD. PECVD melibatkan penggunaan plasma, yang dicipta dengan menggunakan medan elektrik frekuensi tinggi kepada gas, biasanya campuran gas prekursor. Plasma mengaktifkan gas prekursor, membolehkan mereka bertindak balas dan memendap sebagai filem nipis ke substrat. Pemendapan salutan PECVD berlaku melalui pemendapan garis tapak, kerana gas prekursor yang diaktifkan diarahkan ke arah substrat.
Faedah menggunakan salutan PECVD termasuk suhu pemendapan yang lebih rendah, yang mengurangkan tekanan pada bahan yang disalut. Suhu yang lebih rendah ini membolehkan kawalan yang lebih baik ke atas proses lapisan nipis dan kadar pemendapan. Salutan PECVD juga mempunyai pelbagai aplikasi, termasuk lapisan anti-calar dalam optik.
PECVD dan CVD adalah teknik yang berbeza untuk mendepositkan filem nipis. CVD bergantung pada permukaan panas dan tindak balas kimia, manakala PECVD menggunakan plasma sejuk dan suhu yang lebih rendah untuk pemendapan. Pilihan antara PECVD dan CVD bergantung pada aplikasi khusus dan sifat salutan yang dikehendaki.

Operasi Sistem PECVD

Pemendapan wap kimia (CVD) ialah satu proses di mana campuran gas bertindak balas untuk membentuk produk pepejal yang dimendapkan sebagai salutan pada permukaan substrat. Jenis salutan yang boleh diperolehi oleh CVD adalah pelbagai: salutan penebat, separa konduktif, konduktif atau super konduktif; lapisan hidrofilik atau hidrofobik, lapisan ferroelektrik atau feromagnetik; salutan tahan haba, haus, kakisan atau calar; lapisan fotosensitif, dsb. Cara berbeza telah dibangunkan untuk menjalankan CVD, yang berbeza mengikut cara tindak balas diaktifkan. Secara umum, CVD dalam semua bentuknya mencapai salutan permukaan yang sangat homogen, terutamanya berguna pada bahagian tiga dimensi, walaupun dengan celahan atau permukaan tidak sekata sukar untuk diakses. Walau bagaimanapun, pemendapan wap kimia dipertingkatkan plasma (PECVD) mempunyai kelebihan tambahan berbanding CVD yang diaktifkan secara terma kerana ia boleh beroperasi pada suhu yang lebih rendah.
Cara yang sangat berkesan untuk menggunakan salutan plasma terdiri daripada meletakkan bahan kerja dalam ruang vakum sistem PECVD di mana tekanan dikurangkan kepada antara kira-kira {{0}}.1 dan 0.5 milibar. Aliran gas dimasukkan ke dalam ruang untuk dimendapkan di permukaan dan kejutan elektrik digunakan untuk mengujakan atom atau molekul campuran gas. Hasilnya ialah plasma yang komponennya jauh lebih reaktif daripada keadaan gas biasa, yang membolehkan tindak balas berlaku pada suhu yang lebih rendah (antara 100 dan 400 darjah ), meningkatkan kadar pemendapan, dan dalam beberapa kes malah meningkatkan kecekapan tindak balas tertentu. Proses ini diteruskan dalam sistem PECVD sehingga salutan mencapai ketebalan yang dikehendaki, dan hasil sampingan tindak balas diekstrak untuk meningkatkan ketulenan salutan.

Pensijilan Kami

Kilang Kami

Syarikat Xinkyo diasaskan pada tahun 2005 oleh penyelidik bahan profesional. Pengasasnya belajar di Universiti Peking dan merupakan pengeluar terkemuka peralatan eksperimen suhu tinggi dan peralatan makmal penyelidikan bahan baharu. Ini membolehkan kami menyediakan peralatan suhu tinggi yang berkualiti tinggi dan kos rendah untuk makmal penyelidikan dan pembangunan bahan. Produk kami termasuk ketuhar suhu tinggi, relau tiub, relau vakum, relau troli, relau angkat dan set peralatan lengkap yang lain. Terima kasih kepada reka bentuk yang sangat baik, harga yang berpatutan dan perkhidmatan pelanggan, Xinkyo komited untuk menjadi peneraju dunia dalam penyelidikan sains bahan untuk peralatan suhu tinggi.

Panduan Soalan Lazim Terbaik untuk Sistem PECVD

S: Apakah bahan yang digunakan dalam PECVD?

A: Filem yang biasanya didepositkan oleh PECVD termasuk silikon oksida, silikon dioksida, silikon nitrida, silikon karbida, karbon seperti berlian, poli-silikon dan silikon amorf. Filem ini digunakan dalam industri semikonduktor untuk pengasingan lapisan konduktif, pempasifan permukaan, dan pengkapsulan peranti.

S: Apakah perbezaan antara PECVD dan CVD?

J: Walaupun suhu CVD standard biasanya dijalankan dalam 600 darjah hingga 800 darjah, suhu PECVD berjulat dari suhu bilik hingga 350 darjah, yang membolehkan aplikasi yang berjaya dalam situasi di mana suhu CVD yang lebih tinggi berpotensi merosakkan peranti atau substrat yang disalut.

S: Apakah spesifikasi PECVD?

J: PECVD mempunyai peringkat suhu berubah (RT hingga 600 darjah ). Sistem ini menyokong saiz wafer sehingga 6 inci, dan menyediakan pertumbuhan filem PECVD dalam pelbagai keadaan proses.

S: Apakah suhu PECVD?

J: Suhu pemendapan PECVD adalah antara 200 hingga 400 darjah . Ia digunakan berbanding LPCVD atau pengoksidaan terma silikon apabila pemprosesan suhu yang lebih rendah diperlukan kerana kebimbangan kitaran haba atau batasan bahan.

S: Apakah perbezaan antara Lpcvd dan PECVD?

J: LPCVD mempunyai suhu yang lebih tinggi daripada PECVD. Ia menggunakan plasma untuk membekalkan tenaga kepada bahan tindak balas. Walaupun PECVD menggunakan suhu tinggi, ia adalah kaedah separa bersih untuk menghasilkan bahan berasaskan silikon. Apabila LPCVD digunakan, substrat silikon tidak diperlukan.

S: Mengapakah PECVD biasanya menggunakan input kuasa RF?

J: Daripada bergantung semata-mata pada tenaga haba untuk mengekalkan tindak balas kimia, sistem PECVD menggunakan nyahcas cahaya yang disebabkan oleh RF untuk memindahkan tenaga ke dalam gas reaktan, membolehkan substrat kekal pada suhu yang lebih rendah daripada suhu di APCVD dan LPCVD.

S: Di manakah PECVD digunakan?

A: PECVD digunakan dalam optik, mikroelektronik, aplikasi tenaga, pembungkusan dan kimia untuk pemendapan salutan anti-reflektif, salutan lutsinar tahan calar, lapisan aktif secara elektronik, lapisan pempasifan, lapisan dielektrik, lapisan pengasingan, lapisan henti etsa, pengkapsulan dan bahan kimia pelindung...

S: Apakah pemendapan SiN menggunakan PECVD?

J: Pemendapan wap kimia dipertingkatkan plasma (PECVD) ialah teknik pemendapan utama yang digunakan dalam fabrikasi sel suria silikon. Reaktor PECVD digunakan untuk mendepositkan lapisan filem nipis silikon nitrida (SiNx), dan baru-baru ini, aluminium oksida (AlOx) dalam fabrikasi sel suria PERC.

S: Apakah perbezaan antara HDP CVD dan PECVD?

J: Pemendapan wap kimia plasma berketumpatan tinggi (HDPCVD) ialah bentuk khas pemendapan wap kimia dipertingkatkan plasma (PECVD) yang menggunakan sumber plasma gandingan induktif (ICP) yang memberikan ketumpatan plasma yang lebih tinggi daripada sistem PECVD plat selari standard .

S: Apakah salutan DLC menggunakan PECVD?

A: Lapisan DLC disalut melalui pemendapan wap kimia yang dipertingkatkan plasma, dan lapisan Cr dibentuk oleh pemendapan wap fizikal. Pembentukan lapisan salutan telah disahkan oleh mikroskop elektron penghantaran, spektroskopi Raman, dan analisis mikroprob elektron.

S: Apakah tekanan PECVD?

J: Cara yang sangat berkesan untuk menggunakan salutan plasma terdiri daripada meletakkan bahan kerja dalam ruang vakum sistem PECVD di mana tekanan dikurangkan kepada antara kira-kira {{0}}.1 dan 0.5 milibar.

S: Apakah kelebihan PECVD?

A: PECVD membenarkan pertumbuhan filem graphene pada pemangkin logam dengan mengurai prekursor hidrokarbon dalam persekitaran plasma. Teknik ini membolehkan sintesis filem graphene berskala besar dengan ketebalan dan kualiti boleh laras.

S: Berapa tebal salutan PECVD?

A: Substrat ialah bahan yang disalut. Salutan digunakan pada tahap atom dalam reaktor CVD, menjadikannya sangat nipis (3 – 5 mikron). Bahan salutan mengalami pengurangan atau penguraian suhu tinggi dan kemudian didepositkan pada substrat.

S: Apakah PECVD oksida?

J: Silikon oksida Didepositkan Wap Kimia Dipertingkat Plasma (PECVD) digunakan secara meluas dalam bidang mikroelektronik dan Sistem Mikro-Elektro-Mekanikal (MEMS). Terima kasih kepada suhu pemendapan yang rendah, filem PECVD sangat mudah untuk proses yang memerlukan bajet haba yang rendah.

S: Bagaimanakah proses PECVD berfungsi?

A: Plasma dalam proses pemendapan wap biasanya dihasilkan dengan menggunakan voltan pada elektrod yang tertanam dalam gas pada tekanan rendah. Sistem PECVD boleh menjana plasma dengan cara yang berbeza, contohnya, frekuensi radio (RF) kepada frekuensi pertengahan (MF) kepada kuasa DC berdenyut atau lurus.

S: Apakah frekuensi RF PECVD?

J: Bergantung pada kekerapan pengujaan plasma, proses PECVD boleh sama ada frekuensi radio (RF)-PECVD (frekuensi standard 13.56 MHz) atau frekuensi sangat tinggi (VHF)-PECVD (dengan frekuensi sehingga 150 MHz). Untuk sel heterojunction, biasanya, a-Si:H didepositkan dengan RF-PECVD.

S: Apakah salutan DLC menggunakan PECVD?

S: Apakah frekuensi radio PECVD?

J: Pemendapan wap kimia dipertingkatkan plasma (PECVD) menggunakan frekuensi radio (RF, 13.56 MHz) dan frekuensi gelombang mikro (2.45 GHz) telah digunakan secara meluas untuk mendepositkan filem ini.

Sebagai salah satu pengeluar dan pembekal sistem pecvd terkemuka di China, kami amat mengalu-alukan anda untuk membeli sistem pecvd gred tinggi untuk dijual di sini dari kilang kami. Semua produk kami adalah dengan kualiti yang tinggi dan harga yang kompetitif.